Produse
Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46
  • Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46
  • Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46
  • Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46

Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46

Box Optronics furnizează fotodioda PIN InGaAs TO46 de 1 mm, proiectată pentru detectarea în infraroșu apropiat de înaltă sensibilitate pe banda de lungime de undă de la 900 nm la 1650 nm. Dispunând de o capacitate de răspuns ridicată (tip. 0,95 A/W la 1550 nm), curent de întuneric scăzut și capacitate scăzută. Găzduită într-o cutie de metal TO46 compactă, închisă ermetic, cu o fereastră plată, fotodioda oferă o funcționare fiabilă pe termen lung pe un interval extins de temperatură de la -40°C la +85°C. Ideal pentru integrarea în contoare optice, instrumente de testare și sisteme de comunicații cu fibră optică.

Prezentare generală a produsului - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


Fotodioda PIN InGaAs de 1 mm (modelul BPD-1STO46B-FW) de la Box Optronics este un fotodetector InGaAs de înaltă performanță conceput pentru aplicații de detectare în infraroșu apropiat (NIR). Dispunând de o structură de diodă PIN, convertește puterea optică incidentă în intervalul de lungimi de undă 900–1650 nm într-un fotocurent proporțional cu liniaritate și sensibilitate ridicate. Dispunând de o zonă activă cu diametrul de 1 mm. Ambalată într-o cutie metalică TO46 ermetică cu o fereastră optică plată, fotodioda este robustă mecanic, asigurând performanțe stabile în condiții industriale și de laborator exigente. Aceste atribute îl fac o alegere excelentă pentru monitorizarea puterii optice, măsurarea testului cu fibră optică, detectarea cu laser și spectroscopia NIR.


Caracteristici cheie - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


• Diametrul zonei active: 1mm pentru o colectare eficientă a luminii

• Gamă largă de răspuns spectral: 900 nm până la 1650 nm

• Reactivitate ridicată: 0,9 A/W tipic la 1310 nm, 0,95 A/W la 1550 nm

• Curent întuneric ultra-scăzut, capacitate de joncțiune scăzută

• Fiabilitate ridicată și stabilitate pe termen lung

• Pachet metalic cu fereastră plată ermetică TO46

• Configurație standard TO-CAN pentru montare ușoară


Aplicații tipice - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


• Contoare optice de putere și module de monitorizare a puterii optice

• Echipamente de testare și măsurare pentru fibră optică

• Detecția semnalului optic și monitorizarea puterii în sistemele de telecomunicații

• Spectroscopie în infraroșu apropiat (NIR) și instrumente analitice

• Sisteme de monitorizare și control al puterii laser

• Calibrarea și caracterizarea atenuatorului optic

• Cercetare și dezvoltare în laboratoare de fotonică

• Integrarea modulelor optice și dezvoltarea subsistemului fotonic


Specificații tehnice - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


Valori maxime absolute (TC = 25°C)

Parametru

Simbol

Evaluare

Unitate

Tensiune inversă

VRmax

20

V

Temperatura carcasei de operare

TOP

-40 ~ +85

°C

Temperatura de depozitare

TST

-55 ~ +120

°C

Caracteristici electro-optice (TC = 25°C)

Parametru

Simbol

Condiție de testare

Min.

Tip.

Max.

Unitate

Diametrul zonei active

φ

-

-

1

-

mm

Gama spectrală

λ

-

900

-

1650

nm

Sensibilitate la 1310 nm

R

VR = -5V

0.85

0.9

-

A/W

Sensibilitate la 1550 nm

R

VR = -5V

-

0.95

-

A/W

Tensiune inversă de funcționare

VR

-

-

-5

-

V

Curent întunecat

Id

VR = -5V

-

1.5

5.0

N / A

Capacitatea joncțiunii

C

VR = -5V, f = 1MHz

-

50

80

pF

Lățime de bandă 3dB

BW

VR = 0V, RL = 50Ω

-

40

-

MHz


Detalii despre produs - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


Ce este o fotodiodă PIN InGaAs?

O fotodiodă PIN InGaAs este un detector cu semiconductor de înaltă sensibilitate proiectat pentru detectarea optică în infraroșu apropiat (NIR). Bazat pe o structură semiconductoare P-I-N, transformă fotonii incidenti în fotocurent cu o liniaritate și stabilitate excelente.

Funcționând de la 900 nm la 1700 nm, fotodiodele InGaAs oferă o capacitate de răspuns ridicată în benzile de comunicații optice și în regiunea SWIR, făcându-le potrivite pentru testarea fibrei optice, monitorizarea puterii optice, spectroscopie și aplicații de detectare.

Zona activă de 1 mm oferă o capacitate îmbunătățită de colectare a luminii și o toleranță de cuplare îmbunătățită, oferind un echilibru excelent între sensibilitate, flexibilitate de aliniere și viteza de detectare.


Repere de performanță - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


• Reactivitate ridicată și eficiență cuantică

• Curentul întunecat ultra-scăzut

• Capacitate scăzută și răspuns rapid

• Acoperire spectrală largă

• Pachet ermetic TO46


Dimensiunile pachetului și definiția pinului - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


Tip pachet: TO46 cutie metalică ermetică, fereastră plată (TO-CAN cu 3 pini)

Diametru cutie: φ5,4 ± 0,2 mm (exterior), φ4,7 ± 0,1 mm (interior)

Diametrul ferestrei: φ3.9 ± 0.1mm

Configurație pin (vedere de jos): pin 1 = anod (partea P), pin 2 = carcasă (GND), pin 3 = catod (partea N)


 

 


Informații de comandă


Nomenclatura modelului

BPD - X X LA XX - X - X

Exemplu: BPD-1STO46B-FW

Domeniu

Cod

Descriere

Seria de produse

BPD

Seria cu fotodiode

Dimensiunea zonei active

1S

1S = 1mm diametru (2S=2mm, 3S=3mm, 5S=5mm)

Tip pachet

TO46

TO46 = pachet TO46 (TO5=TO5)

Tip pin

B

B =B tip pin-out

Tip fereastră

FW

FW = fereastră plată


Fișă tehnică - Fotodiodă PIN InGaAs TO46 de 1 mm


Fișa cu date


Perioada de graţie

• Unități standard (modele în stoc): 3~5 zile lucrătoare

• Producție standard: 10~15 zile lucrătoare

• Comenzi în volum: vă rugăm să contactați pentru programul de producție

• Livrare internațională: ~5 zile lucrătoare (DHL/UPS/FedEx express)

• Serviciul rapid: disponibil la cerere


Note de operare și manipulare - Fotodiodă PIN InGaAs de 1 mm TO46


• Fotodiodele sunt dispozitive sensibile la descărcarea electrostatică (ESD) — folosiți întotdeauna protecție ESD adecvată

• Evitați să atingeți cablurile direct cu degetele goale pentru a preveni contaminarea și deteriorarea ESD

• Depozitați dispozitivele nefolosite în ambalaje sigure pentru ESD sau în tăvi conductoare pentru a preveni deteriorarea cauzată de descărcarea electrostatică


Hot Tags: China 1mm InGaAs PIN Fotodiodă TO46 Producător, Furnizor, Fabrică
Trimite o anchetă
Informatii de contact
  • Abordare

    Camera 901, clădirea A, Rongchao New Era Plaza, nr. 3 Lanqing 1st Road, comunitatea Luhu, subdistrictul Guanhu, districtul Longhua, Shenzhen, 518110, China

Căutați prețuri competitive pentru comenzile în vrac? Trimiteți o întrebare către Box Optronics pentru lasere DFB de înaltă performanță, SLED-uri și dispozitive cu fibră PM. Obțineți o cotație de preț profesională în 24 de ore.
X
Folosim cookie-uri pentru a vă oferi o experiență de navigare mai bună, pentru a analiza traficul site-ului și pentru a personaliza conținutul. Prin utilizarea acestui site, sunteți de acord cu utilizarea cookie-urilor.Politica de confidențialitate
RespingeAccepta